TFT 누설 전류? 문제 없습니다!

IGZO AMeTFT-TFT 누설 전류 솔루션

LTPS 및 IGZO TFT를 소위 “LTPO”픽셀 회로에 통합하는 것은 OLED 또는 마이크로 LED 픽셀이 특정 밝기를 유지할 수 있는 시간을 늘리는 데 목적이 있다. 픽셀 밝기 유지의 핵심은 IGZO 스위칭 TFT의 누설 전류이다.

디스플레이 소비전력은 스마트 폰 배터리 수명을 지배한다. 배터리 에너지의 60%는 OLED 디스플레이에 의해 소멸된다.. OLED 디스플레이 소비전력 주요 원인은 각 픽셀 라인을 초당 60 회 (60Hz 재생률) 업데이트하는 것이다. 많은 픽셀 행이 스마트 폰 이미지의 색상이나 밝기를 자주 변경하지 않으며, 필요할 때까지 이러한 라인을 새로 고치지 않으면 디스플레이 소비전력이 크게 줄어든다.

오랜 시간 동안 픽셀 밝기를 유지하는 기능은 픽셀 회로에서 스위칭 TFT의 누설 전류에 의해 영향을 받는다. IGZO TFT는 실리콘 TFT에 비해 누설 전류 성능에서 상당한 개선을 보여 주지만, 전압을 1 초 이상 유지하는 데 어려움이 있다.

답은 게이트 절연체 재료에 있다. 2018년 서울 대학교 연구원 들은 IGZO TFT 누설 전류 조사에 대한 논문을 Nature 지에 게재했다. 트랩이 많은 이산화 규소 절연체는 “절연 파괴없이 전극 사이의 두꺼운 절연막을 통해 높은 누설 전류가 흐를 수 있다”. 이산화 규소 게이트의 트랩 원인에 대한 10 년의 연구 결과 절연체 는 “두 개의 개별 양극 반응에서 양극에서 두 종류의 수소 (H + 및 H0) 방출”을 식별한다. 이산화 규소 박막 생산에 사용되는 수소가 트랩 생성의 원인이 된다.

Amorphyx의 특허는 고유 전율 유전체 게이트 절연체 인 산화 알루미늄을 사용한다. 알루미늄 타겟에서 나온 산화 알루미늄의 반응성 스퍼터는 수소를 사용하지 않는다. 따라서 Al2O3 게이트 절연체는 누설 전류 성능면에서 SiO2 또는 SiON 게이트 절연체보다 우수하다.

AMeTFT 기술은 좋은 성능과 제조 가능성에 대한 이점은 다음과 같다.

1) FAST

– 비정질 금속으로 전자 이동성 극적으로 증가시키기 위해서는 얇은 산화물 절연체가 필요하다.

– 무어의 법칙(Moore’s Low) : 높은 이동성 = 더 작고 빠른 TFT = 스마트 폰에서 TV 로의 240Hz 이미지 재생률

– 이동도가 향상된 AMeTFT는 고해상도 디스플레이용 실리콘 TFT보다 훨씬 비용의 적다

2) FLEXIBLE

– Flexible 애플리케이션에 사용 가능한 200ºC 이하의 처리에 유연한 재료 시스템

3) SIMPLE

– 기존 백플레인 박막 증착 장비와 호환가능

– AMeTFT는 스퍼터링으로 재료를 증착함. 현재 디스플레이 생산 라인에서 사용되는 동일한 습식 또는 건식 에칭을 사용

 

(출처: https://www.amorphyx.com)