QNED 구조와 제조 기술 분석 보고서 발간

유비리서치(www.ubiresearch.co.kr)가 삼성디스플레이의 QNED(quantum dot nanorod LED) 공개 특허 41건을 분석한 “QNED 구조와 제조 기술 분석 보고서”를 출간하였다.

본 보고서에 기술된 내용은 공개된 특허 41건 중 QNED 제조에 사용될 것으로 판단되는 완성도가 높은 기술을 선별하고 정성 분석하여 구성하였다.

공개 특허를 분석한 결과 QNED 구조는 TFT와 화소, QD(quantum dot)-CF(color filter)로 형성되어 있었다. 공개된 특허에서 TFT 구조는 모두 2Tr(transistor)로 묘사되어 있었으나, 전류 구동용 TFT는 최소 3개가 필요하기 때문에 3Tr1C 구조를 사용할 것으로 추정된다. 화소는 nanorod LED와 전극, nanorod LED에서 방출되는 빛을 효율적으로 사용하기 위한 광학 구조로 구성되어 있었다.

이제까지 화소의 전극 구조는 직사각형인 것으로 알려져 있었으나, 공개된 특허를 분석한 결과 전극 구조는 원형일 것으로 추정된다. 특정 특허에서 원형 전극에 비대칭 파형을 인가하면 nanorod LED의 배열 방향성이 우수 해져서 정렬 특성이 좋아지는 것으로 나타났다. Nanorod LED 정렬 전극과 구동은 같은 전극을 사용하고 있는 것으로 파악되었다.

QNED 제조에 사용되는 nanorod LED는 GaN으로 제작되어 청색광을 내는 LED이며, 크기가 <1um x 10um이다. Nanorod LED 정렬 효과를 높이고 공정 불량을 줄이기 위해 nanorod LED 표면은 절연막과 소자 배향기로 처리되어 있는 것으로 보인다.